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Apparecchiatura di quarzo Barca di trasporto di wafer di quarzo per la diffusione di wafer

  • Quartz Apparatus Quartz Wafer Carrier Boat For Wafer Diffusion
  • Quartz Apparatus Quartz Wafer Carrier Boat For Wafer Diffusion
Luogo di origine Shandong
Marca ZKTD
Certificazione SGS,ROHS,
Numero di modello Produttori OEM
Quantità di ordine minimo 1 pcs o come negoziato
Prezzo USD 20-30/PC
Imballaggi particolari scatola di legno, cartone
Tempi di consegna 5-10 giorni
Termini di pagamento L/C,T/T
Capacità di alimentazione 1000000PC/Month

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Dettagli
Applicazioni Semiconduttore, solare Forma Prodotto su misura
certificato ISO9001-2008 Marchio di esportazione Taiwan, Corea del Sud, Stati Uniti, Canada
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trasportatore del wafer del quarzo di purezza 99

,

999%

,

trasportatore del wafer del quarzo da 1100 gradi
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Descrizione di prodotto

Applicazione:


Ampiamente utilizzato per campi ad alta tecnologia come la tecnologia dei semiconduttori, la produzione di circuiti integrati, le telecomunicazioni in fibra ottica, la tecnologia laser, la tecnologia dei voli spaziali, l'industria della guerra della difesa nazionale e l'industria ottica, ecc.


Caratteristiche


1. Coefficiente di dilatazione termica molto basso
2. Resistenza alle alte temperature
3. Elevata purezza chimica
4. Elevata resistenza alla corrosione
5. Ampia trasmissione ottica da ultravioletto a infrarosso
6. Eccellenti qualità di isolamento elettrico




Proprietà meccaniche:

Proprietà meccaniche Valore di riferimento Proprietà meccaniche Valore di riferimento
Densità 2.203 g/cm3 Indice di rifrazione 1.45845
Resistenza alla compressione ＞1100Mpa Coefficiente di dilatazione termica 5.5×10-7cm/cm.℃
Resistenza alla flessione 67Mpa Temperatura di lavoro a caldo 1750～2050℃
Resistenza alla trazione 48.3Mpa La temperatura per un breve periodo/ 1300℃
Coefficiente di Poisson 0.14～0.17 La temperatura per un lungo periodo/ 1100℃
Modulo elastico 71700Mpa Resistività 7×107Ω.cm
Modulo di taglio 31000Mpa Resistenza dielettrica 250～400Kv/cm
Durezza Mohs 5.3～6.5 (scala Mohs) Costante dielettrica 3.7～3.9
Punto di deformazione 1280℃ Coefficiente di assorbimento dielettrico/ <4×104
Calore specifico (20～350℃) 670J/kg ℃ Coefficiente di perdita dielettrica <1×104
Conducibilità termica (20℃) 1.4W/m ℃ Tipiche proprietà meccaniche del quarzo fuso



Apparecchiatura di quarzo Barca di trasporto di wafer di quarzo per la diffusione di wafer 0

Apparecchiatura di quarzo Barca di trasporto di wafer di quarzo per la diffusione di wafer 1



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