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Trasportatore del wafer a semiconduttore del quarzo fuso ultra sottile

  • Quartz Apparatus Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra Thin
  • Quartz Apparatus Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra Thin
Luogo di origine Shandong
Marca ZKTD
Certificazione SGS,ISO
Numero di modello Produttori OEM
Quantità di ordine minimo 1 PCS
Prezzo USD 50-150 /Pcs
Imballaggi particolari Scatole di legno, cartoni
Tempi di consegna 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento L/C,T/T
Capacità di alimentazione 100000 pc/settimana

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Dettagli
Dimensione Produttori OEM MOQ 1pc
Nome Portatore di wafer semiconduttore
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Descrizione di prodotto

Trasportatore del wafer a semiconduttore del quarzo fuso ultra sottile

Siamo specializzati nella ricerca, nella fabbricazione e nelle vendite di prodotti del quarzo.
I prodotti principali sono: crogiolo del quarzo, tubo di vetro di quarzo trasparente, tubo di diffusione di vetro di quarzo, tubo stridente di vetro di quarzo della bocca, lastra di vetro del quarzo, crogiolo di quarzo, articoli del quarzo, monticello del quarzo, barretta del quarzo, materiale da costruzione leggero, apparecchio medico, strumenti scientifici, ecc.
Ci ricordiamo sempre a che «il cliente è il centro, qualità siamo la chiave». Faremo i nostri sforzi di 100% per fare i nostri clienti soddisfatti!

 

Caratteristiche di prodotti:

Chiaro e pulito,

Alta omogeneità

Resistente ad alta temperatura

Alta trasmissione della luce

Anti attacco di chimica

 

Temperatura di lavoro:

Temperatura di lavoro regolare: °C 1000

Temperatura di lavoro per a breve termine: 1100°C

temperatura massima di lavoro istantanea: 1300°C

 

Proprietà meccanica:

Proprietà meccanica Valore di riferimento Proprietà meccanica Valore di riferimento
Densità 2.203g/cm3 Indice di rifrazione 1,45845
Resistenza alla compressione >1100Mpa Coefficiente di espansione termica 5.5×10-7cm/cm.°C
Resistenza alla flessione 67Mpa Temperatura del lavoro in ambienti caldi 1750~2050°C
Resistenza alla trazione 48.3Mpa La temperatura per un breve periodo °C 1300
Il rapporto di Poisson 0.14~0.17 La temperatura a lungo °C 1100
Modulo elastico 71700Mpa Resistività 7×107Ω.cm
Modulo di taglio 31000Mpa Resistenza dielettrica 250~400Kv/cm
Durezza dei lepidotteri 5.3~6.5 (scala dei lepidotteri) Costante dielettrica 3.7~3.9
Punto di deformazione °C 1280 Coefficiente di assorbimento dielettrico <4>
Calore specifico (20~350°C) °C 670J/kg Coefficiente di perdita dielettrica <1>
Conducibilità termica (°C) 20 °C di 1.4W/m  


Trasportatore del wafer a semiconduttore del quarzo fuso ultra sottile 0

Etichette:

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