Base terminale per prodotti al quarzo per apparecchi al quarzo bianco latteo per semiconduttori

Luogo di origine La CINA
Marca ZKTD
Certificazione SGS, ISO 9001
Numero di modello ZKTD
Quantità di ordine minimo 1 pz
Prezzo USD 50-150 Pcs or as negotiated
Imballaggi particolari Scatola di legno, cotone perlato, cartone
Tempi di consegna 5-8 giorni di lavoro
Termini di pagamento L/C,D/A,D/P,T/T
Capacità di alimentazione 100 PZ/GIORNO
Dettagli
Materiale Necessario Tolleranza ± 0,1
MOQ 1 pz Forma Personalizzato
Temperatura del lavoro in ambienti caldi 1750 ∼2050°C
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prodotti bianchi lattei del quarzo

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base del telefono dei prodotti del quarzo

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prodotti del quarzo a semiconduttore

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Descrizione di prodotto

Apparecchi di quarzo bianco lattico Prodotti di quarzo Base terminale per semiconduttori 


Semiconduttore: il vetro al quarzo è un materiale indispensabile nel processo di produzione di materiali e dispositivi semiconduttori, come crogioli per la coltivazione di germanio, cristalli singoli di silicio,tubi e vasetti a campana per forni da barca, ecc., tutti devono essere utilizzati.


Caratteristiche dei prodotti:

Chiaro e pulito,

Alta omogeneità

Resistenza alle alte temperature

Trasmissione luminosa elevata

Attacco anti-chimica


Temperatura di funzionamento:

Temperatura di lavoro regolare: 1000°C

Temperatura di lavoro a breve termine:1100°C

temperatura massima di funzionamento istantanea:1300°C


Proprietà meccanica:

Proprietà meccanica Valore di riferimento Proprietà meccanica Valore di riferimento
Densità 2.203 g/cm3 Indice di rifrazione 1.45845
Forza di compressione >1100Mpa Coefficiente di espansione termica 5.5×10-7 cm/cm.°C
Resistenza alla piegatura 67Mpa Temperatura di lavoro a caldo 1750~2050°C
Resistenza alla trazione 48.3Mpa La temperatura per un breve periodo 1300°C
Rapporto di Poisson 0.14 ~0.17 La temperatura per molto tempo 1100°C
Modulo elastico 71700Mpa Resistenza 7×107Ω.cm
Modulo di taglio 31000Mpa Forza dielettrica 250 ~400Kv/cm
Durezza delle falene 5.3~6.5(Scale di falena) Costante dielettrica 3.7~3.9
Punto di deformazione 1280°C Coefficiente di assorbimento dielettrico < 4×104
Calore specifico350°C) 670J/kg°C Coefficiente di perdita dielettrica < 1 × 104
Conduttività termica°C) 1.4W/m°C

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