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Piastra al quarzo lucidato su un lato 200x250x6mm di elevata purezza per dispositivo di rivestimento ottico per supporto wafer a semiconduttore
| Materiale | Quarzo di elevata purezza | Dimensioni | 200 mm x 250 mm x 6 mm |
|---|---|---|---|
| Superficie | Lucido ottico di precisione su un solo lato | Resistenza alla temperatura | Fino a 1100°C |
| Resistenza chimica | Resistente all'HF e agli acidi/alcali forti | Purezza | Elevata purezza, nessuna precipitazione di metalli |
| Evidenziare | Piastra di quarzo lucidata a lato singolo,200x250x6 mm,piastra di quarzo portante di wafer semiconduttore |
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Piastra al quarzo lucido su un lato 200x250x6mm
Questa lastra di quarzo lucidato su un lato, di dimensioni 200x250x6 mm, presenta una superficie lucidata otticamente di precisione con il lato opposto lasciato rettificato per un posizionamento stabile. Realizzato in quarzo di elevata purezza, offre resistenza al calore di 1.100°C e durabilità chimica superiore, ideale per supporti wafer semiconduttori, substrati per esperimenti ottici, dispositivi di rivestimento sotto vuoto e strumenti ad alta temperatura da laboratorio.
Parametri del prodotto
| Parametro | Specifica |
|---|---|
| Materiale | Quarzo di elevata purezza |
| Dimensioni | 200 mm x 250 mm x 6 mm |
| Finitura superficiale | Lucido ottico di precisione su un solo lato |
| Resistenza alla temperatura | Fino a 1100°C |
| Resistenza chimica | Resistente all'HF e agli acidi/alcali forti |
| Trasmittanza | Alta trasmissione (lato lucido) |
| Dilatazione termica | Bassa espansione, resistente agli shock termici |
| Purezza | Elevata purezza, nessuna precipitazione di impurità metalliche |
Caratteristiche principali
- Lucido ottico su un solo lato– Una superficie lucidata a specchio di precisione per un'eccellente trasmissione della luce e chiarezza ottica, mentre il retro smerigliato fornisce un posizionamento e un montaggio stabili.
- Resistenza al calore 1100°C– Mantiene l'integrità strutturale e la stabilità dimensionale a temperature elevate sostenute senza deformazioni, ideale per le operazioni di lavorazione e diffusione dei wafer semiconduttori.
- HF e forte resistenza chimica– Superiore al vetro borosilicato, resiste all'acido fluoridrico e agli acidi/alcali concentrati per ambienti impegnativi di lavorazione chimica e semiconduttori.
- Elevata purezza, nessuna contaminazione– Quarzo puro al 99,99% con zero precipitazione di impurità metalliche, prevenendo la contaminazione di wafer e campioni nella produzione di semiconduttori di elevata purezza.
- Bassa dilatazione termica– L’eccellente resistenza agli shock termici previene la rottura in caso di rapidi cicli di temperatura, garantendo un servizio affidabile a lungo termine nelle applicazioni di riscaldamento ciclico.
Applicazioni
1. Industria dei semiconduttori e del fotovoltaico
Piastra porta wafer per processi di rivestimento e diffusione dei chip. La superficie lucida supporta i wafer senza contaminazione, mantenendo la stabilità dimensionale a temperature di lavorazione elevate senza perdita di impurità.
2. Industria degli strumenti ottici
Substrato di riferimento per test dello spettro e piastra base di fissaggio del percorso ottico. La superficie lucida garantisce una chiara trasmissione della luce mentre il lato non lucidato garantisce un posizionamento e un montaggio stabili.
3. Processo di rivestimento di precisione
Dispositivo base per rivestimento sotto vuoto per la deposizione di lenti ottiche, resistente alle alte temperature della camera e ai gas di processo corrosivi durante le operazioni di rivestimento a film sottile.
4. Laboratorio Chimico
Vassoio di sinterizzazione ad alta temperatura e portacampioni per test di corrosione, compatibile con HF e vari reagenti fortemente corrosivi per esperimenti chimici impegnativi.
Vantaggi rispetto al vetro borosilicato
A differenza delle lastre di vetro borosilicato che vengono attaccate dall'HF e si ammorbidiscono alle alte temperature, questa lastra di quarzo lucidata su un lato offre resistenza completa all'HF, funzionamento prolungato a 1100°C, finitura superficiale a specchio per una trasmissione della luce superiore, bassa espansione termica per resistenza alle crepe e struttura ad elevata purezza per semiconduttori esenti da contaminazioni e ambienti di produzione di precisione.

